第三代IGBT

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摘要 IGBT是具有优异的高速开关特性和电压驱动特性的功率器件,在功率电子学领域中非常引人注目。本文就IGBT的基本工作原理、特征、应用范围、技术发展动向加以详述。IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称。它是将MUSFET的高速开关特性、电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性集于一个基片上的功率元件,在功率电子学中是一种极具潜力的元件。近年来,由于采用了优化设计和大容量存储器处理技术,IGBT的特性得到大幅度地改善。其应用范围正逐年扩大,从通用的变换器,

作者范国君

出处《实用影音技术》 1994年第4期56-59,共4页

关键词开关特性绝缘栅双极晶体管功率电子学驱动特性处理技术应用范围基本工作原理电压特性优化设计功率器件

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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