摘要
9403469 聚合物保护涂膜的去除:SU1719417[苏联专利]/Kiev Scientific-Re-search Institute of Micro Instruments（Os-ipova,E.P.等）.-1992.3.15.-4745529（1989.8.4）;IPC C09D9/00半导体晶形材料表面的保护涂膜用含CrO<sub>3</sub>1.5～2.5份、HNO<sub>3</sub>（比重1.42）4.0～7.0份、H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>（比重1.83）120.0～180.0份和水1.5～2.5份的脱漆剂水溶液于70～80℃处理,便可快速去除。（泽曦郭滟）
