摘要
O73 94064086EL<sub>2</sub>光淬灭过程中光电导增强现象原因新探=Newexplanation to EPC phenomenon in EL<sub>2</sub> photoquenching[刊,中]/徐波,王占国,万寿科,孙虹,张辉（中科院半导体研究所）//半导体学报.—1994,15（5）.—322—328用光电导的实验方法对LEC SI-GaAs单晶中EL<sub>2</sub>能级的光淬火过程进行了研究。通过对实验结果的分析,提出了一种解释EL<sub>2</sub>淬灭过程中EPC现象起因模型:光照前因补偿受主而已经电离的一部分,EL<sub>2</sub>
出处
《中国光学》
EI
CAS
1994年第6期37-39,共3页
Chinese Optics
