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光学薄膜参数、测试及设备

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摘要 O484.5 94032127表西光电压法测量 a—Si:H 少子扩散长度的进一步研究=The further study on measuring diffu-sion length of minority carrier in a—Si:Hwith SPV method[刊,中]/张治国(内蒙古师范大学物理系),宿晶厚(北京工业大学电子工程系)∥太阳能学报.—1993,14(4).
出处 《中国光学》 EI CAS 1994年第3期74-75,共2页 Chinese Optics
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