摘要
TN761 94021296MSLM调制组件的电光性能=The electrical andoptic properties of the modulation assemblyused in MSLM[刊,中]/梁振宪,侯洵（中科院西安光机所）//光子学报.-1993,22（4）.-333～336对设计并制作的(MgF<sub>2</sub>+（ZrO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>）]膜系。LiNbO<sub>3</sub>·ITO/玻璃结构的MSLM用调制组件的综合电光性能进行了实验测定。结果表明,其反射半波电压V<sub>κR</sub>为1.2kV=0.1kV,反射率达99%,峰值次级电子发射系数为5.8。
出处
《中国光学》
EI
CAS
1994年第2期70-70,共1页
Chinese Optics
