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国内外IGBT和MCT的发展现状

The Development of IGBT & MCT at Abroad and Home

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摘要本文介绍了新型的ＭＯＳ－双极器件－ＩＧＢＴ和ＭＣＴ的国内外研制现状及发展方向。 This article describes the recent development trend for IGBT and MCT.

作者俞萍

机构地区西安电力电子技术研究所

出处《电气传动自动化》 1994年第4期55-58,共4页 Electric Drive Automation

关键词 IGBT MCT 发展现状 IGBT MCT Development trend

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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电气传动自动化

1994年第4期

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