期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
GaAs MESFET制作中的欧姆接触性能的研究
下载PDF
职称材料
导出
摘要
介绍一种用于GaAs功率MESFET制作的新型耐高温欧姆接触金属化结构:Ge/Ni/TiWN/Au。对其制作工艺和接触特性作了研究。与低共熔AuGeNi合金的液相反应相比,它通过固一固相反应来实现欧姆接触,具有反应温度高,接触电阻小的特点,因而具有较好的耐高温性能。
作者
姚毓明
李剑平
曾志斌
陈存礼
出处
《航天电子对抗》
1993年第1期42-44,共3页
Aerospace Electronic Warfare
关键词
砷化镓
场效应晶体管
分类号
V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
TN97 [电子电信—信号与信息处理]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
郝冠军,夏先齐,陈存礼.
具有热稳定性的Ge/Ni/TiWN/Au与n-GaAs接触性能的研究[J]
.半导体技术,1994,10(5):42-43.
2
高学邦.
GaAs功率电路仿真和优化软件技术研究[J]
.半导体情报,2000,37(1):22-26.
被引量:2
3
张玉清,张慕义,高学邦,李岚,王勇,孙先花.
10~11GHz 1W GaAs功率单片集成电路[J]
.半导体情报,1997,34(1):32-35.
4
张慕义,张玉清,高学邦,王勇,李岚.
8毫米GaAs功率单片集成电路[J]
.半导体情报,1997,34(1):29-31.
5
邢东.
5GHz 30W GaAs功率场效应晶体管[J]
.半导体情报,1992(1):57-58.
6
傅炜.
C波段16W内匹配GaAs功率MESFET[J]
.固体电子学研究与进展,1994,14(1):32-32.
7
张光照,卢慧斌.
减小压力变送器漂移的方法[J]
.传感器技术,1993(3):41-46.
8
郝冠军,姚毓明,郑晨焱,夏先齐.
全平面自对准离子注入技术的X波段功率GaAs MESFET[J]
.航天电子对抗,1993(1):10-13.
9
李玉林.
浅析ADSS光缆在电力通信系统中的应用[J]
.中国高新技术企业,2008(21):71-71.
被引量:2
10
蒋葳,刘云飞,尹海洲.
Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析[J]
.微电子学,2014,44(2):245-248.
航天电子对抗
1993年 第1期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部