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GaAs MESFET制作中的欧姆接触性能的研究

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摘要 介绍一种用于GaAs功率MESFET制作的新型耐高温欧姆接触金属化结构:Ge/Ni/TiWN/Au。对其制作工艺和接触特性作了研究。与低共熔AuGeNi合金的液相反应相比,它通过固一固相反应来实现欧姆接触,具有反应温度高,接触电阻小的特点,因而具有较好的耐高温性能。
出处 《航天电子对抗》 1993年第1期42-44,共3页 Aerospace Electronic Warfare
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