金属—半导体欧姆接触合金化过程中小岛对比接触电阻影响的理论分析

1、引言在半导体发光器件中,Gap 发光器件占的比例越来越大,而 Gap 欧姆接触是当前 Gap 发光二极管(LED)制作中引人注目的问题.Gap 是宽禁带化合物,电阻率较高,表面态密度大,因而给欧姆接触电极的制备造成了很大困难.迄今,人们进行了各种合金作为 Gap 欧姆接触材料的研究工作,结果表明,对不同的接触金属层,在最佳合金温度下可得到较小的比接触电阻.随着Ⅲ—Ⅴ族半导体材料及其检测技术的发展。