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单晶硅反常色散区发光光谱的研究
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摘要
用单光子技术测量了单晶硅在^(90)Sr-β源照射下的受激发光光谱,在硅的反常色散区确证了荧光的存在,并且给出了切伦柯夫辐射存在的迹象。
作者
陈京
陈永中
出处
《研究生教育研究》
1992年第S1期33-38,共6页
Journal of Graduate Education
关键词
反常色散区
发光光谱
Β源
反射谱
单光子
窄带滤光片
消光系数
电子产生
角分布
直接跃迁
分类号
G4 [文化科学—教育技术学]
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研究生教育研究
1992年 第S1期
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