期刊文献+

SDRAM辐射效应测试系统研制及实验研究

Development and Experimental Study of a Measurement System for Radiation Effects on SDRAM
下载PDF
导出
摘要 在分析SDRAM器件辐射失效现象的基础上,研制了具备读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究.结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效.实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转.数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因.
出处 《现代应用物理》 2013年第2期-,共8页 Modern Applied Physics
  • 相关文献

参考文献6

  • 1BERTAZZONI S,GIOVENALE D,SALMERI M. Monitoring Methodology for TID damaging of SDRAM devices based on retention time analysis[A].Cannes,2004.
  • 2SCHEICK L Z,GUERTIN S M,SWIFT G M. Analysis of radiation effects on individual DRAM cells[J].{H}IEEE Transactions on Nuclear Science,2000,(06):2534-2538.doi:10.1109/23.903804.
  • 3HENSON B G,MCDONALD P T,STAPOR W J. SDRAM space radiation effects measurements and analysis[A].Norfolk,VA,1999.15-23.
  • 4EDMONDS L D,GUERTIN S M,SCHEICK L Z. Ioninduced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells[J].{H}IEEE Transactions on Nuclear Science,2001,(06):1925-1930.
  • 5SHINDOU H,KUBOYAMA S,IKEDA N. Bulk damage caused by single protons in SDRAMs[J].{H}IEEE Transactions on Nuclear Science,2003,(06):1839-1845.doi:10.1109/TNS.2003.820727.
  • 6BERTAZZONI S,CARDARILLI G C,PIERGENTILI D. Failure tests on 64 Mb SDRAM in radiation environment[A].1999.158-164.

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部