深亚微米物理设计的挑战与方法

随着集成电路加工工艺技术向0.18微米或更小尺寸的继续发展,设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小,时钟频率越来越高,电压越来越低,上市时间越来越紧迫,因此设计复杂性迅速增加,互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战,人们展开了深入的研究,提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战,回顾物理设计的方法,比较它们的优缺点,指出它们的适用范围,最后展望深亚微米物理设计的发展方向。