硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺
出处
《科技开发动态》
1994年第2期52-52,共1页
R&D Information
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3田亮,高志远,孙丽媛,邹德恕.铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响[J].光电子．激光,2013,24(12):2289-2294. 被引量：1
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4刘春香,杨洪星,于妍,赵权.腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响[J].半导体技术,2012,37(10):772-775.
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5吕菲,刘春香,杨洪星,赵权,于妍,赵秀玲.锗单晶片的碱性腐蚀特性分析[J].半导体技术,2007,32(11):967-969. 被引量：7
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6刘家骏,王泽敏,李爱魁,胡乾午,曾晓雁.激光直写法制备条形光波导中的功率密度阈值[J].中国激光,2007,34(6):765-770. 被引量：3
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7齐志华,李献杰.InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)[J].半导体技术,2009,34(9):821-827. 被引量：1
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8唐晓琦,淮璞.大尺寸硅片超薄技术[J].半导体技术,2014,39(6):442-446. 被引量：2
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