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Structural and Optical Characteristics of InGaN/GaN Multi-Quantum Wells Grown on α-and c-Plane Sapphire Substrates 被引量:1

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出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第7期1323-1326,共4页 中国物理快报(英文版)
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参考文献17

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引证文献1

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