匹配的埋置电容介质的应用
出处
《印制电路信息》
2004年第6期71-71,共1页
Printed Circuit Information
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1曾耿华,唐高弟.LTCC中埋置电容的参数提取及特性分析[J].信息与电子工程,2008,6(1):6-9. 被引量：3
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2燕文琴,刘颖力,李元勋,张怀武.低温共烧陶瓷埋置电感和电容的研究[J].压电与声光,2008,30(1):102-105. 被引量：2
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3陶瓷粉末提高复合物的电磁屏蔽[J].聚合物与助剂,2007(2):65-66.
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4闫正,张未涛,王毅,张新,李丽,赵庆勋,杜军,刘保亭.Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of Ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12 Capacitors[J].Chinese Physics Letters,2007,24(12):3559-3562. 被引量：1
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5潘开林,丘伟阳,袁超平,刘静.基于Maxwell模型的树脂系基板中埋置电容研究[J].半导体技术,2009,34(9):852-856.
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6李建辉,范启兵,阳皓,杨邦朝.基于LTCC技术的垂直堆叠结构电容的设计[J].电子元件与材料,2011,30(10):64-67. 被引量：1
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7段中夏,袁杰,赵全亮,刘红梅,林海波,张文通,曹茂盛.Preparation and Ferroelectric Properties of Double-Scale PZT Composite Piezoelectric Thick Film[J].Chinese Physics Letters,2008,25(4):1472-1475. 被引量：3
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8邹忠飞,姚丽双,唐先柱,季新建,宣丽.Fabrication of a Mono-Domain Alignment Ferroelectric Liquid Crystal Device Using a Polar Self-Assembled Monolayer[J].Chinese Physics Letters,2008,25(7):2524-2526. 被引量：1
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9JIANGWei,Veng-CheongLo.Properties of Three Pseudo-Spins in Ferroelectric or Ferro-Antiferroelectric Materials Described by a Transverse Ising Model[J].Communications in Theoretical Physics,2005,43(2):362-366.
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10艾树涛.Dependence of interface motion on pressure in ferroelectrics[J].Chinese Physics B,2005,14(6):1246-1249. 被引量：1
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