出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1993年第1期43-44,46,共3页
Power Electronics
同被引文献87
-
1李思渊,孙卓,刘肃.静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究[J].电力电子技术,1994,28(2):34-38. 被引量：3
-
2刘肃,李思渊,康宁.电力SITH动态测试原理与计算方法[J].电力电子技术,1994,28(2):47-50. 被引量：1
-
3李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,李成.静电感应晶闸管（SITH）的理论分析[J].半导体技术,1995,11(4):22-25. 被引量：2
-
4李思渊,刘瑞喜,李成,席传裕,刘肃,杨建红.静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析[J].兰州大学学报（自然科学版）,1995,31(4):78-88. 被引量：3
-
5王毓珍,李思渊.表面栅型静电感应晶体管结构和工艺特点[J].电力电子技术,1989(3):53-56. 被引量：1
-
6李思渊,耿辖.静电感应晶体管（SIT）电参数的分析与调节[J].电力电子技术,1989(4):44-49. 被引量：1
-
7李思渊,刘瑞喜,李成,韩永召,刘肃.BSIT开态的数值分析[J].半导体技术,1996,12(1):33-39. 被引量：1
-
8李思渊,刘瑞喜,李成,刘肃,杨建红,韩永召.BSIT开启特性的研究[J].兰州大学学报（自然科学版）,1996,32(2):37-45. 被引量：1
-
9李思渊,刘肃,刘瑞喜,杨建红.复合结构的静电感应器件[J].应用科学学报,1996,14(2):243-247. 被引量：2
-
10唐金科,李思渊.静电感应晶体管（SIT）电流—电压特性的准两维分析[J].电力电子技术,1990(1):39-43. 被引量：1
-
1刘星平,李炎斌.IGBT驱动电路的研究[J].电气开关,2002,40(5):19-21. 被引量：9
-
2于翠华,李成春.电力晶体管（GTR）及其应用（I）[J].电力电子技术,1990(1):52-57.
-
3Carpe.,G,罗兴宪.1800V／300A非破坏性双极型电力晶体管测试仪[J].国外电力电子技术,1991(2):15-20.
-
4陈行尧,陆荣庆.GTT—1型电力晶体管开关时间测试系统[J].电力电子技术,1992(2):48-51.
-
5于翠华,李成春.电力晶体管（GTR）及其应用（Ⅱ）[J].电力电子技术,1990(90):58-61.
-
6赵永健,李序葆.电力晶体管的结构与特性[J].电气自动化,1991(2):46-49.
-
7问：绝缘栅双极型晶体管的基本特点有哪些？[J].家电检修技术,2007(1):71-71.
-
8施涛昌.电力晶体管的一种驱动和保护电路[J].电工技术杂志,1996(1):25-27.
-
9江俊辉.双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究[J].微计算机信息,2006,22(05Z):261-263. 被引量：3
-
10李思渊,桑保生,刘肃,杨建红.硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管[J].半导体技术,1991,7(6):15-16. 被引量：1
;
