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IGBT及其驱动电路

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摘要 IGBT(绝缘栅双极大功率晶体管)是一种全控型大功率半导体器件。它集VMOS管电压激励和GTR导通压降小的优良特性于一体,具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。此器件可广泛应用于高频、高压及大功率电气装置中。
作者 胡大友
出处 《电气时代》 1993年第2期8-9,共2页 Electric Age
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