新型功率半导体器件——Light MOS晶体管

基于非穿通NPT／沟槽工艺的Light MOS，是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点，栅极电容较MOSFET小10倍．具有低功耗损耗特征．最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用．并与3A／600V／1.5—3欧姆的MOSFET等效。