动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法

Introduction to Deep Trench Capacitor Fabrication of High Density DRAM

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摘要首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术。后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战。 Thedevelopmentofdeep-trenchcapacitorfrom4Mbto256MbDRAMisbrieflyreviewedtogivethereadersasenseofthedesignconceptandthetechnologiesinvolvedforeachgeneration.Asimplifiedprocessflowofthedeep-trenchmoduleisillustratedtohelptheunderstandingofthechallengesof256MbDRAMmanufacturing.

作者衣冠君

机构地区中芯国际

出处《电子工业专用设备》 2004年第5期56-63,共8页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词深槽电容器埋藏式连接器埋藏式基板动态随机存取记忆体 Deep-trench Capacitor DRAM Burriedstrap Burriedplate

分类号 TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN305 [电子电信—物理电子学]

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