在P型硅上电沉积Ni-W-P合金薄膜
出处
《表面工程资讯》
2004年第3期9-9,共1页
Information of Surface Engineering
-
1李爱昌,张国庆,张允什.单晶硅上电沉积Ni-W-P合金薄膜[J].化工冶金,1997,18(4):308-311. 被引量：2
-
2李爱昌,张国庆,刘冰.p-Si上电沉积Ni-W-P薄膜的结构与热稳定性[J].应用化学,1998,15(3):35-38. 被引量：3
-
3姚素薇,王宏智,张卫国.P型Si上电沉积Ni-W-P合金薄膜[J].电镀与环保,1997,17(3):7-9. 被引量：4
-
4姚素薇,赵转清,张卫国,龚正烈.镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能[J].材料研究学报,2002,16(1):82-87. 被引量：4
-
5卢洁琴,张晓莉,卫国英,余云丹.化学镀Ni-W-P薄膜的制备及其耐蚀性能的研究[J].表面技术,2016,45(4):83-88. 被引量：2
-
6Ju Feng,Ming Gong,Michael J. Kenney,Justin Z. Wu,Bo Zhang,Yanguang Li,Hongjie Dai.Nickel-coated silicon photocathode for water splitting in alkaline electrolytes[J].Nano Research,2015,8(5):1577-1583. 被引量：8
-
7李爱昌,李健飞,任宁,刘爽.硅电极表面镍钨磷合金电沉积及其析氢性能[J].材料保护,2004,37(11):5-6. 被引量：2
-
8张卫国,姚素薇,赵转清,龚正烈.p型单晶硅上电镀纳米Ni-W-P合金电极及其光照析氢研究[J].应用化学,2001,18(10):790-793. 被引量：4
-
9宋超,王祥,宋捷,林圳旭,张毅,郭艳青,黄锐.Boron doped nanocrystalline silicon film characterization for solar cell application[J].Science China Materials,2015,58(9):704-708. 被引量：1
-
10A,Yusa,桂子王.半导体硅材料用的超高纯硅烷[J].低温与特气,1984,2(4):22-29.
;
