出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1993年第2期12-16,共5页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
二级引证文献3
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1周涛,裴德礼,陆晓东,吴元庆.基于非等温能量平衡模型的GTR二次击穿特性研究[J].电子元件与材料,2015,34(7):73-77. 被引量：1
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2周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷.直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究[J].电子元件与材料,2016,35(2):73-78. 被引量：2
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3赖忠有.功率晶体管击穿特性及测试分析[J].电子制作,2019,0(11):64-66.
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1赵振华.功率晶体管二次击穿的防止[J].江南半导体通讯,1991,19(6):44-51. 被引量：1
-
2陈克明.功率晶体管的二次击穿及其防范[J].实用无线电,1999(1):40-43.
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3万积庆,金庚墀.功率晶体管的二次击穿综述[J].半导体杂志,1990,15(3):38-46.
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4易本健.功率晶体管正偏二次击穿的测试[J].电子测量技术,1989,12(4):27-34.
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5周友昆.功率器件的二次击穿无损坏测试技术[J].电力电子技术,1995,29(1):61-65. 被引量：2
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6田光,赵光祖.天馈系统故障原因的分析[J].黑龙江科技信息,2011(19):61-61. 被引量：4
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7高岩.变频器过流及过载原因的分析[J].电气开关,2006,44(2):45-46. 被引量：1
-
8何德湛,陈益清.台面型半导体器件的制造方法[J].物理,1992,21(4):253-254.
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9杨玉平,张建秀.变电站自动化系统抗电磁干扰的措施[J].内蒙古广播与电视技术,2012,29(2):79-81. 被引量：1
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10胡宏,谢雪梅,宫贤斌.移动电话收益率与接通率的模型及其应用[J].长春邮电学院学报,1998,16(1):41-44.
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