失效分析中的等离子腐蚀技术
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1993年第2期17-19,共3页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1Tina J.Cotler,马长青.等离子腐蚀技术[J].微电子学,1991,21(4):60-65.
-
2Pramod C.Karulkar,李秉忠.离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术[J].微电子学,1991,21(1):69-74.
-
3L.Y.Tsou,黄子伦.光刻胶对等离子腐蚀的影响[J].微电子学,1990,20(3):65-68.
-
4李蔚.Ⅲ-Ⅴ族化合物等离子腐蚀[J].半导体光电,1990,11(2):131-137.
-
5牛凯,徐宇新（审核）.等离子刻蚀[J].导航与控制,2005,12(4):7-8.
-
6程开富.氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究[J].电子工业专用设备,1997,26(4):40-43. 被引量：1
-
7高海永,闫发旺,樊中朝,李晋闽,曾一平,王国宏.Improved Light Extraction of GaN-based LEDs with Nano-roughened p-GaN Surfaces[J].Chinese Physics Letters,2008,25(9):3448-3451. 被引量：1
-
8李明秋,张寒明.锁相放大技术在等离子腐蚀监测过程中的应用[J].长春光学精密机械学院学报,2001,24(2):36-38. 被引量：1
-
9WUYing,OUYi-hong,JIANGYong-qing,LIBin.Silicon Deep Etching Techniques for MEMS Devices[J].Semiconductor Photonics and Technology,2003,9(4):226-229.
-
10硅微机械加工技术[J].电子工程师,2006,32(12):57-57.
;
