对MOS集成电路失效的分析
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1993年第4期9-14,共6页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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1李兴鸿,赵俊萍,赵春荣.集成电路三温测试数据在失效分析中的应用[J].电子产品可靠性与环境试验,2013,31(5):1-5. 被引量：7
-
2门月.集成电路的工作原理及其可靠性[J].硅谷,2009(4):33-33.
-
3郝素荣.集成电路的原理及可靠性分析[J].电子制作,2013,21(4X):10-10. 被引量：1
-
4张阳.集成电路失效分析方法与技术探究[J].电子世界,2013(19):22-23. 被引量：2
-
5杜涛,阮爱武,汪鹏,李永亮,李平.一种基于BP神经网络的集成电路PHM模型[J].计算机工程与科学,2017,39(1):55-60. 被引量：6
-
6莫郁薇,彭成信.集成电路可靠性预计模型及其参数[J].电子产品可靠性与环境试验,2005,23(B12):47-50. 被引量：2
-
7王义贤.塑封集成电路失效分析和对策[J].电子与封装,2008,8(10):7-9. 被引量：2
-
8王义贤.面板显示驱动电路的失效分析及对策[J].电子与封装,2007,7(4):13-17.
-
9郭宇楠,王佳男,丁宁.工业生产中集成电路失效分析案例解析[J].微处理机,2016,37(6):9-11. 被引量：3
-
10任志伟,崔艾东.栅接地NMOS管的ESD特性研究[J].微处理机,2015,36(1):5-6. 被引量：1
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