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高性能双极型集成电路晶体管 被引量:1

HIGH PERFORMANCE BIPOLAR TRANSISTORS FOR INTEGRATED CIRCUIT
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摘要 本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。 The state-of-the-art technologies of bipolar transistors for integrated circuit, in which bipolar transistors based on bulk silicon, silicon-on insulator and SiGe stained layer are included, are discussed.
出处 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第6期631-642,共12页
关键词 双极集成电路 异质结 双极型晶体管 Silicon bipolar integrated circuit SOI SiGe/Si heterostruccure HBT Isolation technology
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Lu Pongfei,IEEE Trans EDL,1990年,11卷,8期,336页
  • 2Chen Tzechaning,IEEE Trans EDL,1989年,10卷,8期,364页
  • 3Li G P,IEEE Trans ED,1987年,34卷,11期,2246页
  • 4Lang D V,Appl Phys Lett,1985年,47卷,12期,1333页

同被引文献5

引证文献1

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