a-Ge/Al双层膜中分形和退火温度的关系

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摘要侯建国等曾系统地研究了a-Ge/Au双层膜体系,发现a-Ge晶化形成的分形结构与退火温度、Au的晶粒尺寸等物理因素间存在着很强的关联。最近我们报道了Al/Ge膜中分形的形成与Al/Ge的厚度比有关,随着Al/Ge厚度比减小,分形结构变得越来越密集,维数增大,并用逐次触发成核模型(PSN)解释了观察到的现象。

作者李伯泉郑斌吴自勤

机构地区中国科技大学基础物理中心

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期155-155,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词半导体锗铝双层膜分形退火温度

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] O484.1 [理学—固体物理]

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