AlAs/GaAs,AlAs/Si/GaAs异质结果界结构的电镜研究

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摘要原子层掺杂(Atomic Layer Doping)可以在二极管结构中产生一种内部势垒,从而控制半导体的某些电学性能。本工作就是在GaAs衬底上MBE生长AlAs和Si。在测试过程中,我们采用大角度会聚束电子衍射(简称LACBED)和高分辨像(HREM)研究AlAs/GaAs,AlAs/Si/GaAs的界面结构及失配能力。

作者金星陈中圭王风莲

机构地区中科院北京电镜实验室中科院半导体所超晶格国家重点实验室

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期151-151,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词半导体砷化铝砷化镓界面结构电子显微镜

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]

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1993年第2期

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