摘要
本文从理论和设计两方面说明开关电容高Q陷波电路也可以通过Q倍增结构实现。采用这种结构还可以减小电路的电容比和总的电容值,从而减小制造芯片时的面积.
Second-order high-Q active RC notch networks can be realized by using the Q-multiplier structure[1]. It is shown from the theory and design that the structure can also be used in SC notch networks to decrease the capacitor ratio and capacitor area of the circuit.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第8期101-103,81,共4页
Acta Electronica Sinica
基金
甘肃省自然科学基金资助课题
