电子显微分析在提高阻容元件质量方面的应用
出处
《电子元件》
1993年第1期60-68,共9页
Electronic Component Special Monthly
-
1谢锋,刘剑霜,陈一,胡刚.半导体制造中的电子显微分析[J].集成电路应用,2003,20(2):44-45.
-
2韩培德,杨海峰,杨辉,林耀望,张泽,李新峰,周增圻.分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析[J].Journal of Semiconductors,1999,20(1):58-61. 被引量：2
-
3吉元,徐学东,张炜,程尧海,李学信.微电子器件金属化系统失效的电子显微分析[J].电子显微学报,1990,9(3):150-150.
-
4阮世池.RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析[J].电子科技大学学报,1999,28(1):103-107.
-
5钱智勇,倪锦峰,陈一,王家楫.深亚微米Flash NVMIC单元结构的电子显微分析[J].复旦学报（自然科学版）,2005,44(1):80-84.
-
6电子元件、组件[J].中国无线电电子学文摘,2000(3):47-52.
-
7李亚东,薛青,杨海康,温正其.β-SiC晶须的电子显微分析[J].苏州大学学报（自然科学版）,1992,8(1):93-96. 被引量：2
-
8马通达,屠海令,邵贝羚,陈长春,黄文韬.Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析[J].Journal of Semiconductors,2004,25(9):1123-1127. 被引量：2
-
9聂祚仁,周美玲,张久兴,王金淑,左铁镛.Mo-Y_2O_3阴极的热电子发射性能[J].中国稀土学报,1998,16(1):80-83. 被引量：4
-
10张泽,王岩国,李辉.氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)[J].电子显微学报,2002,21(3):253-258.
;
