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S—G方法的侧风扩散现象分析

Analysis of the Phenomenon of the Crosswind Diffusion Inherent in the S-G Scheme
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摘要 本文系统地分析了S-G方法内在的侧风扩散现象,给出了它的应用条件和适用范围,为S-G方法的应用提供了依据。 This paper systematically analyzes the phenomenon of the crosswind effect inherent in the S-G scheme,and presents its applied conditions and fit ranges,which provides for the application of the S-G scheme.
出处 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1993年第6期64-69,共6页 Journal of Southeast University:Natural Science Edition
关键词 半导体器件 模拟 S-G法 侧风扩散 semiconductor devices simulation drift diffusion/S-G scheme crosswind diffusion
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Chou T Y,IEEE Trans CAD,1991年,10卷,9期,1193页
  • 2He Y,IEEE Trans CAD,1991年,10卷,12期,1579页
  • 3He Y

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