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多孔硅的形成与发光 被引量:2

FORMATION AND LUMINESCENCE OF POROUS SILICON
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摘要 本文综述了有关多孔硅(Porous silicon,简称PS)某些新近的研究成果,包括多孔硅的形成、光致发光和电致发光,着重介绍多孔硅的形成和发光过程的量子尺寸效应。 The recent progresses in porous silicon, including the formation process of porous silicon, photoluminescence and electroluminescence are reviewed, with emphasis on the formation process and quantum confinement effect in porous silicon.
出处 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期107-118,共12页 Chinese Journal of Luminescence
关键词 多孔硅 形成 光致发光 电致发光 formation of porous silicon photoluminescence quantum confinement effect
  • 相关文献

参考文献17

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  • 3Shin S,Appl Phys Lett,1992年,60卷,633页
  • 4Tai C,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1700页
  • 5Xu Z Y,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1375页
  • 6方容川,Chin Phys Lett,1992年,9卷,438页
  • 7方容川,李清山,崔景彪,李庆红,马玉蓉,杨嘉玲.多孔硅的光致发光和红外吸收光谱研究[J].发光学报,1992,13(4):275-280. 被引量:1
  • 8李清山,中国科学技术大学学报,1992年,2期
  • 9李清山,1992年
  • 10潘必方,1992年

二级参考文献4

  • 1方容川,J Lumin,1991年,48卷,631页
  • 2方容川,J Non-Cryst Sol,1980年,35卷,255页
  • 3方容川,Phys Rev B,1980年,22卷,6410页
  • 4方容川,Chin Phys Lett

同被引文献22

引证文献2

二级引证文献2

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