单电子三值存储器
出处
《科技开发动态》
2004年第6期47-47,共1页
R&D Information
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1王太宏.集成单电子晶体管的研究动态[J].物理,2000,29(1):58-59. 被引量：3
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2是德科技实现技术新突破,即将推出带宽超过100 GHz的实时和采样示波器[J].电子测量与仪器学报,2016,30(2):324-324.
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3张万成,吴南健.A Hybrid Random Number Generator Using Single Electron Tunneling Junctions and MOS Transistors[J].Journal of Semiconductors,2008,29(4):693-700.
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4王洁.独特UltraCMOS工艺促进Peregrine的“智能整合”[J].电子技术应用,2014,40(11):6-6.
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5花吉珍,陈宏泰,杨红伟,陈国鹰.塑封隧道结脉冲半导体激光器的研制[J].半导体光电,2008,29(6):825-827. 被引量：4
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6苏成富.CMOS数字集成电路原理与应用(一)[J].家庭电子,1997(10):46-46.
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7刘小辉,朱俊,郑林辉,房丽彬.Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3铁电隧穿结的制备与性能研究[J].电子元件与材料,2016,35(8):14-17. 被引量：1
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8王艳福,王红茹,王颖.一种新型非对称栅隧穿场效应晶体管[J].半导体技术,2016,41(5):362-365. 被引量：1
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9孙劲鹏,王太宏.基于库仑阻塞原理的多值存储器[J].物理学报,2003,52(10):2563-2568. 被引量：5
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10陈宏泰,张世祖,杨红伟,林琳,王晓燕,花吉珍,刘英斌,安振峰.高斜率效率隧道结叠层激光器的研制[J].微纳电子技术,2008,45(5):260-263. 被引量：4
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