在长浮动导体层上的小接触刻蚀过程中的新工艺过程损坏
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2004年第3期76-76,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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1Lou fierro,James D.Getty,孔祥麟.印制电路板制造的等离子体工艺[J].印制电路信息,2003(9):35-37. 被引量：2
-
2冯玉国,张本义,张华.射频自偏压在等离子体工艺中的作用[J].真空,1991,28(3):15-17. 被引量：5
-
3俞诚.三氟化氮与等离子体工艺[J].低温与特气,1991,9(4):26-29. 被引量：2
-
4董映璧.俄研制出新型手机充电器[J].苏南科技开发,2006(5):59-59.
-
5俄研制出新型手机充电器[J].中国科技产业,2006(4):69-69.
-
6李海.你的未来计划中有等离子体吗?PCB制造正经历巨大变革[J].印制电路信息,1999,0(3):32-38.
-
7朱志炜,郝跃,赵天绪,张进城.等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤[J].固体电子学研究与进展,2003,23(1):126-132. 被引量：3
-
8李忠,王敬义,何笑明,肖成章,赵宁.等离子体提纯硅粉的实验研究[J].微细加工技术,1996(1):44-48. 被引量：1
-
9龙乐.等离子体清洗及其在电子封装中的应用[J].电子与封装,2008,8(4):12-15. 被引量：11
-
10陈彪,陈爱兰.等离子体工艺引起栅氧化膜损伤的分析[J].上海第二工业大学学报,2005,22(3):37-39. 被引量：2
