OMVPE生长lnP：Zn／InGaAs／InPp—i—n双异质结中的Zn掺杂
出处
《发光快报》
CSCD
1993年第1期45-48,共4页
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1S.J.C.Irvine,高国龙.HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)[J].红外,1994(6):25-30.
-
2S.J.C.Irvine,高国龙.HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)[J].红外,1994(5):1-5.
-
3郑显明.LPE制作平面型InGaAs/InP APD[J].半导体光电,1993,14(1):41-47.
-
4沈鸿烈,杨根庆.半绝缘lnp中Si^＋＋P^＋双注入的电学特性[J].科技通讯（上海）,1991,5(1):8-10.
-
5陶长远,刘达清.低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延[J].红外与激光技术,1991,20(2):30-34.
-
6程祺祥,许毅,王秀珍.Φ50mm多层GaAs气相外延技术[J].稀有金属,1992,16(6):424-427.
-
7徐宝琨,李钟华,宋利珠,赵慕愚.In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析[J].Journal of Semiconductors,1989,10(4):301-308. 被引量：1
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8师庆华.高效GaAlAs LED[J].液晶与显示,1990,10(4):48-52.
-
9李学颜.用于激射波长可控的CaAs／AlGaAs量子阱激光二极管的大面积均匀OMVPE生长[J].半导体情报,1994,31(5):17-22.
-
10邸建华.氢汽相外延生长激光二极管质量的InP／Si[J].发光快报,1995,16(5):34-36.
