采用a—SiTFT的高分辨率6英寸LCD
出处
《发光快报》
CSCD
1993年第1期30-34,共5页
-
1熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军,莫希朝,李德林,赵庚申,徐温元.高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si TFT[J].Journal of Semiconductors,1994,15(2):130-135. 被引量:7
-
2徐重阳,刘瑞林,邹雪城.激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)[J].液晶通讯,1994,2(1):30-33. 被引量:3
-
3钟伯强,王文生.用于液晶显示的a—SiTFT和p—SiTFT[J].上海硅酸盐,1992(4):224-226.
-
4Miyata,邢维政.a-Si TFT寻址LCD的动态特性[J].光电子技术,1990,10(2):62-68.
-
5熊绍珍,张建军,周祯华,孟志国,戴永平,谷纯芝,马京涛,丁世斌,赵庚申.a—Si TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究[J].材料研究学报,1994,8(3):257-262. 被引量:2
-
6采用1.5*10^6个象素a—SiTFT LC模件的高...[J].发光快报,1992,13(1):42-45.
-
7孟志国,代永平,周祯华,张建军,姚仑,谷纯芝,李俊峰,吴春亚,熊绍珍,赵颖,王丽莉,徐温元,袁庆鹏,黄宇,李树山,莫希朝,马京涛,王德申,孙钟林,李庆诚,马锦,耿卫东,李德林,李红玉,赵晶,雷宗保,徐寿颐,张百哲,张伟.α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展[J].液晶与显示,1996,11(4):268-285.
-
8屈惠明.α-Si TFT的C-V特性研究[J].光电子技术,1994,14(2):132-137.
-
9赵颖,熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,姚伦,张建军,孙钟林,徐温元.H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用[J].Journal of Semiconductors,1997,18(1):58-60. 被引量:3
-
10邵喜斌.多晶硅薄膜的激光晶化技术[J].光机电信息,2008,25(4):7-10. 被引量:1
;