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氧化钨薄膜微型电化学器件的研究

Microelectrochemical Device of Tungsten Trioxide Thin Film
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摘要 本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。 The structure, principle. fabrication technology and performance test of WO3 based pH-sensitive device are described. WO3 thin film changes from isolator to conductor by hydrogen ion (H+ ) injection in electrochemical process. The pH-sensitive device is successfully fabricated by the sensitivity to H+ of WO3 thin film. It is a simple and lower-costed sensitive technique.
机构地区 复旦大学
出处 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第7期861-864,共4页 Chinese Journal of Analytical Chemistry
基金 国家自然科学基金
关键词 氧化钨 薄膜 氢离子敏器件 Tungsten trioxide, Thin film, pH-Sensitive device.
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参考文献1

二级参考文献1

  • 1邵丙铣,电子学报,1988年,16卷,3期,60页

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