静电感应(SI)功率器件的应用

本刊编者按:本文是PCIM’88学术讨论会论文集的总论部分。一、序言自70年代以来,我们研究组已开发了静电感应(SI)功率器件,如静电感应功率晶体管(SIT),和静电感应功率可控硅(SIThy)。其基本原理是在一对控制极间中心狭窄的电势最低点控制进入高阻区的注入载流子的数量,与普通双极型晶体管(BPT)及场效应晶体管(FET)相比,可以用形象化的示意图来说明,如图1。