新颖的立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长
出处
《今日科技》
2004年第7期57-57,共1页
Science & Technology Today
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1义仡.双缓冲层的GaN外延生长[J].电子材料快报,1998(11):12-13.
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2黄义贞.Si（001）基片上的纤锌矿GaN外延生长[J].电子材料快报,1998(5):9-10.
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3义仡.高质量AlN,GaN外延生长[J].电子材料快报,1996(2):5-6.
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4重木.利用W掩膜进行GaN外延生长[J].电子材料快报,1999(2):11-12.
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5毕叔和.GaN外延生长的新型衬底：r—LiAlO2[J].电子材料快报,1999(4):8-9.
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6义仡.用LiGaO2做基片的GaN外延生长[J].电子材料快报,1999(4):6-7.
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7朱丽萍,叶志镇,赵炳辉,倪贤锋,赵浙.立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备[J].真空科学与技术学报,2004,24(6):448-450. 被引量：1
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8陈鹏,江若琏,王军转,赵作明,梅永丰,沈波,张荣,吴兴龙,顾书林,郑有炓.阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长[J].高技术通讯,2002,12(4):52-54. 被引量：1
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9叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学.硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):305-308.
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10曲钢,徐茵.GaN薄膜生长实时监控系统的实现[J].半导体技术,2004,29(9):70-73. 被引量：1
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