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SOI高压器件及高压集成技术 被引量：2

SOI High Voltage Device and SPIC Technology
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摘要 　SOI技术被誉为21世纪的硅集成技术。文章综述了SOI材料的特点与制备、高压功率器件的最新发展动态,以及相关的高压功率驱动集成技术的发展现状;介绍了作者在功率,特别是高压SOI器件和集成电路方面的工作,以作引玉之砖。 As it can provide new functionality for advanced Si devices, Silicon-On-Insulator (SOI)is an advanced Si technology for the 21st century. Methods for preparation of SOI wafers and the physical properties of SOI wafers are examined. And the latest development of HV SOI devices and SPIC's are summarized. Finally, efforts of the authors on SOI high voltage devices are also introduced.
作者 方健 郭宇峰 雷宇 张波 李肇基
机构地区 电子科技大学微电子所
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期390-397,共8页 Microelectronics
关键词 SOI 高压器件 高压集成 集成电路 SOI Material preparation High voltage device SPIC
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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引证文献2

二级引证文献1

微电子学
2004年 第4期

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