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高性能模拟集成电路工艺技术 被引量:7

A Summary of High Performance Analog IC Technology
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摘要  介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。 An overview of analog IC technology is presented. The latest development of BiCMOS process, complementary bipolar technology and SOI deep trench isolation technology are elaborated, with emphasis on BiCMOS technology. Finally, the development trend of process technology for analog IC's are investigated in general.
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期398-401,共4页 Microelectronics
关键词 模拟集成电路 BICMOS 互补双极工艺 SOI 深槽介质隔离 BiCMOS Complementary bipolar technology SOI Deep trench isolation
  • 相关文献

参考文献4

  • 1施敏.现代半导体器件物理[M].北京:科学出版社,2001..
  • 2[2]Campbell S A.微电子制造科学原理与工程技术[M].北京:电子工业出版社,2003.
  • 3[4]Yeo K S. Low voltage, low power CMOS/BiCMOS ULSI[M].北京:电子工业出版社,2002.
  • 4[5]Plummer J D. Silicon VLSI technology, fundamental,practice and modeling[M].北京:电子工业出版社,2003.

共引文献2

同被引文献30

引证文献7

二级引证文献18

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