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强脉冲金属离子注入制备硅化物 被引量:4

Fabrication of Silicides by Use of High Pulsed Metal Ion Beam
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出处 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1993年第9期1-6,共6页 Chinese High Technology Letters
基金 863计划资助项目
关键词 金属 离子注入 单晶 硅化物 Metal Ion implantation Silicon Silicide
  • 相关文献

同被引文献15

  • 1张通和,1994年
  • 2张通和,1992年
  • 3Zhang Xiaoji,Rev Sci Instrum,1992年,63卷,4期,2431页
  • 4张通和,Surf Coat Tech,1994年,66卷,355页
  • 5张通和,北京师范大学学报,1994年,27卷,10期,479页
  • 6张通和,Proceedings of the third instrument conference on solid state and integrated circuit technology,1992年
  • 7Zhang Xiaoji,Res Sci Instr,1992年,63卷,4期,2431页
  • 8Chu Weikan,Backscattering spectrometry,1978年
  • 9Marc-A Nicolet, Lau S S. Formation and characterization of transition metal silicides. In Einspruch N G, VLSI electronics microstructure science, New York: Acadernic Press,1983,16: 329-464
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引证文献4

二级引证文献3

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