能实现0.1V低电压工作的CMOS集成电路技术

在信息技术设备系统的大规模集成电路(LSI)中,"要求工作中的功率消耗极小"是一个重要课题。为降低LSI的工作电压,有效的方法是降低电源电压。迄今的目标是指向IV水平,力图实现低电压化。但是考虑到低于1V时,CMOS(互补型金属氧化物半导体)电路的性能会显著劣化,难于达到实用化。即使按国际上半导体技术的发展方针,今后5年期间,电源电压的进展也仅保持在1V左右。