掺AS硅单晶片外延技术被引量：2

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摘要本文论述的N/N +EPI ,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层。因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重 ,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性 ,便成为N/N

作者苗文生

机构地区天昊电子有限公司

出处《甘肃科技》 2004年第6期49-49,34,共2页 Gansu Science and Technology

关键词掺砷衬底外延(EPI) 自掺杂自封闭

同被引文献8

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甘肃科技

2004年第6期

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