摘要
用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度Δ,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.
A fractal model of coarse surface of SiC by using structure function is presented.Three parameters rms roughness Δ,fractal dimension D,and correlative length L are used to describe the covariance function of surface height.The method calculating these parameters is also given.With the present model,one can calculate the coarse dispersion of SiC/SiO_2 fractal interface to channel electrons.
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2004年第4期311-315,共5页
Chinese Journal of Computational Physics
基金
国家自然科学基金(NSFC-50132040)
中科院创新项目(KJCX2-SW-04)资助项目
