长波红外成像HgCdTe和GaAs/GaAlAs技术评价
-
1姚英,朱惜辰,楚莉萍.HgCdTe光电二极管的1/f噪声[J].数据采集与处理,1989,4(A10):21-22.
-
2王子孟,方家熊,司承才,胡亚春,马家骊.长波大面积HgCdTe光导红外探测器的研究[J].红外与毫米波学报,1992,11(4):277-282. 被引量:1
-
3张桂成,吴征.氧对GaAs/GaAlAs发光材料和器件特性的影响[J].上海半导体,1990(4):1-4.
-
4杨文宗,邓光华,刘昌林.长波HgCdTe红外焦平面列阵[J].半导体光电,1991,12(4):376-380.
-
5马坚.新颖实用的长波数字信号收发芯片[J].实用无线电,1994(1):14-15.
-
6B-Y.Tsaur,石广元.VLSI的SOI技术评价[J].微电子学与计算机,1990,7(3):47-48.
-
7符正威.SiGe/CMOS/GaAs技术评价[J].集成电路通讯,2001(2):38-38.
-
8陆卫,欧海江,陈敏辉,马朝晖,刘兴权,黄醒良,茅惠兴,蒋伟,沈学础,顾勇华,叶礼斌.GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):9-13. 被引量:1
-
9林世鸣,吴荣汉,黄永箴,潘钟,高洪海,王启明,段海龙,高文智,罗丽萍,王立轩.GaAs/GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器[J].高技术通讯,1994,4(10):11-13. 被引量:3
-
10符正威.技术评价:系统级芯片(SoC)和系统级封闭(SiP)[J].集成电路通讯,2001(3):16-17.