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MOS电荷泵上升时间模型的建立 被引量:1

The Rise Time Model of MOS Charge Pump
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摘要 在 Dickson模型的基础上 ,通过对电荷泵模型的动态分析 ,推导了 MOS电荷泵的上升时间模型。并根据 MOS电荷泵实际工作情况 ,加入了衬偏效应及寄生电容等参数 ,使模型更符合实际情况。经 SPICE模拟验证 ,新模型更加符合实际 MOS电荷泵工作情况。 Dynamics of the Dickson charge pump circuit have been analyzed.In this paper,the voltage rise time of MOS charge pump is modeled.Based on the physical working condition of charge pump circuit,two parameters are taken into account.The simulation results of new model agree with practical MOS charge pump.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期350-354,389,共6页 Research & Progress of SSE
关键词 电荷泵电路 上升时间 衬偏(体)效应 charge pump circuit rise time body effect
  • 相关文献

参考文献3

  • 1[1]Dickson J R.On-chip high-voltage generation in NMOS integrated circuit using an improved voltage multiplier technique.IEEE J Solid-State Cricuits,1976;SC-11(6):374~378
  • 2[2]Jonan S Witters,Guido Groeseneken.Analysis and modeling of on-chip high-voltagegenerator circuits for use in EEPROM circuits.IEEE J Solid-State Circuits,1989;24(10):1 372~1 380
  • 3[3]Tanzawa Toru,Tanaka Tomoharu.A dynamic analysis of Dickson charge pump circuit.IEEE J Solid-State Circuits,1997;32(8);1 231~1 240

同被引文献5

引证文献1

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