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安培力微观机制探原

RESEARCH FOR THE MICROMECHANISM OF AMPER'S FORCE
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摘要 通过对磁场中载流金属导体内电子或半导体内载流子的受力分析,以及它们和金属或半导体晶格之间的相互作用,阐明了安培力的经典微观起源。 The classical micromechanism of Ampere's force can be explained by analysing the forces on the electrons in a current-carrying metal conductor or on the carriers in a semiconductor and the interaction between the electrons and the crystal lattice of metal or between the carriers and the crystal lattice of semiconductor.
作者 陈彦强
出处 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1993年第1期8-13,共6页 Journal of Guangxi Normal University:Natural Science Edition
关键词 霍尔电场 洛仑兹力 迁移率 安培力 Hall electric field Lorentz force mobility Hall mobility hole
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献4

  • 1梁灿彬等《电磁学》330页,1981,人民教育由版社.
  • 2张靖武《物理教学》1981年5期,34页.
  • 3H. A. Lorentz 《Theory of Electrons》, 2 nd edi- tion, Dover, New York (1952).
  • 4W. R. McKinnon. S P McAlister and C.M.Hurd, Amer, J. Phys. 49(5), May 1981.

共引文献9

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