器件模拟对AlGaAs/GaAs RTD的特性分析(英文)

Characteristics analysis of AlGaAs/GaAs resonant tunneling diode by device simulation

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摘要使用SILVACO公司的器件模拟软件ATLAS对AlGaAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)进行了器件模拟,得到了不同结构的RTD的I-V特性曲线。对量子阱宽度、掺杂浓度、势垒宽度和高度对RTD的I-V特性的影响进行了详细的分析。 The device simulation of AlGaAs/GaAs resonant tunneling diode(RTD)is performed by ATLAS,SILVACO softwares,and RTD I-V characteristics are obtained with different structures. The effects of quantum well width,doping concentration,barrier width and height on RTD I-V characteristics are analyzed in details.

作者牛萍娟刘宏伟郭维廉李晓云

机构地区天津工业大学信息与通信工程学院天津大学电子信息工程学院

出处《微纳电子技术》 CAS 2004年第10期15-17,28,共4页 Micronanoelectronic Technology

关键词共振隧穿二极管(RTD) 器件模拟 I-V特性曲线负微分电阻(NDR) 量子阱 resonant tunneling diode(RTD) device simulation I-V characteristics negative different resistance(NDR) quantum well

分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]

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2004年第10期

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