沟道刻蚀型a—SiTFT矩阵的制造工艺

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摘要沟道刻蚀型a-SiTFT是TFT的一种。本文介绍了沟道刻蚀型a-SiTFT矩阵的结构和原理．重点介绍了它的制造工艺。

作者王洪岩

机构地区南京华日液晶显示技术有限公司

出处《光电技术》 2003年第4期10-13,共4页

关键词沟道刻蚀型a-SiTFT矩阵制造工艺平板显示器件 TFT-LCD结构成膜方法

1肖敏.可防止电极等污染的PCVD成膜方法[J].等离子体应用技术快报,1995(5):4-5.
2妹清,晨曦.光通信用滤波器[J].光机电信息,2001(1):29-34.
3采用a—SiTFT的高分辨率6英寸LCD[J].发光快报,1993,14(1):30-34.
4熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军,莫希朝,李德林,赵庚申,徐温元.高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si　TFT[J].Journal of Semiconductors,1994,15(2):130-135. 被引量：7
5徐重阳,刘瑞林,邹雪城.激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)[J].液晶通讯,1994,2(1):30-33. 被引量：3
6钟伯强,王文生.用于液晶显示的a—SiTFT和p—SiTFT[J].上海硅酸盐,1992(4):224-226.
7Miyata,邢维政.a-Si TFT寻址LCD的动态特性[J].光电子技术,1990,10(2):62-68.
8NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术[J].微纳电子技术,2007,44(3):119-119.
9熊绍珍,张建军,周祯华,孟志国,戴永平,谷纯芝,马京涛,丁世斌,赵庚申.a—Si　TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究[J].材料研究学报,1994,8(3):257-262. 被引量：2
10采用1.5＊10^6个象素a—SiTFT LC模件的高...[J].发光快报,1992,13(1):42-45.

光电技术

2003年第4期

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