突破30纳米
摘要
远紫外线光刻技术能让芯片制造商生产尺寸小于30纳米的电路.而这也让
出处
《互联网周刊》
2004年第28期56-56,共1页
China Internet Week
-
1Jack Dongarra.下一代计算机系统将由异构平台组成[J].中国教育网络,2011(9):24-24.
-
2芯片的极限EUV被寄予厚望[J].个人电脑,2002,8(11):127-127.
-
3Rachel Courtland.液锡解决方案[J].科技纵览,2016,0(11):26-31.
-
4英特尔Larrabee显卡再次跳票?[J].微电脑世界,2010(1):15-15.
-
5下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍：EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm[J].微纳电子技术,2002,39(7):43-43.
-
6便全球最快3G单芯片问世[J].数码时代,2007(11):10-10.
-
7约翰·帕夫卢斯,杨扬.后摩尔时代[J].环球科学,2015,0(6):26-31.
-
8TSMC量产20nm芯片或取代三星获A8订单[J].中国集成电路,2014,23(1):12-12.
-
9EUV掩膜版的等离子刻蚀法[J].电子工业专用设备,2010(10):56-56.
-
10李亚明,张飞.光刻技术的发展[J].电子世界,2014(24):464-465. 被引量：1
