期刊文献+

真空蒸发制备Cd(Se,S)薄膜及其光学性能研究

Growth and Optical Properties of Vacuum Deposited Cd(Se,S) Films
下载PDF
导出
摘要 利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源 ,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se ,S)薄膜 ,薄膜为纤锌矿结构 ,具有沿 [0 0 2 ]晶向的择优取向。Cd(Se ,S)薄膜为n型材料 ,在可见光范围内具有良好的透过率。随Se成分的增加 ,薄膜由透明橘黄色变为透明棕红色 。 High quality,stable Cd(Se,S) films were successfully grown on glass substrates with vacuum deposition of CdS and Se powders.the transmittance of the n type Cd(Se,S) films was found to be rather high in the visible light range.As Se concentration increases,red shift of the absorption edges of Cd(Se,S) can be observed.
出处 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期219-221,共3页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金 内蒙古自治区自然科学基金资助项目 (No .9713 0 1 3 )
关键词 Cd(Se S)薄膜 三元化合物半导体 光学性能 制备 真空蒸发 Cd(Se,S)films,Films preparation,Vacuum evaporation,Property study
  • 相关文献

参考文献7

  • 1[1]Yamaguchi T, Yamamoto Y,Tanaka T et al.Thin Solid Films,1999,343-344:516 ~ 519
  • 2[2]Picard E,Gentile P, Martrou D. Appl Phys Lett, 1999,75(5):677 ~ 679
  • 3[3]Saidin M K B, Russell G J, Brinkman A W et al. J Crystal Growth, 1990,101: 844 ~ 849
  • 4[4]Ando K,Palmer J,Ohki A et al.J Crystal Growth, 1992,117(1-4) :560 ~ 564
  • 5[5]Hsi C T.Thin solid films, 1998,335(1-2):184~ 291
  • 6[6]Gourdon C,Lavallard P.J Crystal Growth, 1990,101:767 ~ 772
  • 7[7]Park R M,Troffer M B, Roulrsu C M. Appl Phys Lett, 1990, 57(20) :2127 ~ 2129

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部