飞兆先进MOSFET技术降低Miller电荷达35％～40％

飞兆半导体公司日前宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短'死区时间',以改善稳压性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止栅极误触发,这在MOSFET用作同步整流器时会在开关MOSFET之间产生短路电流。低RDS(on)对于降低导通损耗非常重要,而低Qg可减少每次开关周期中导通和关断MOSFET所消耗的功率。